化学气相沉积-j9九游会

  化学气相沉积(chemical vapor deposition) 

利用物质的气相化学反应生成固态质点沉积于基材表面的表面防护方法。化学气相沉积(cvd)开始用于硅、锗等材料精制，随后用于适于外延生长制作的材料，在集成电路制造工艺中发挥了更大作用。以后又相继开发等离子体辅助化学气相沉积(pcvd)和金属有机化学气相沉积(mocvd)。常见的cvd反应有5类

(1)固相扩散型，如；

(2)氢还原型，如；

(3)热分解型，如；

(4)置换反应型，如；

(5)反应沉积型，如。

绝大多数cvd反应是吸热反应，需向基材或环境供热，亦可用等离子体、紫外线及激光等激发能源。常用的源物质有气态、液态和固态。cvd常用于制造多晶硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃和金刚石等绝缘薄膜以及各种半导体单晶膜。自1969年cvd超硬涂层刀具问世以来，作为耐磨耐蚀涂层的一种生产技术得到迅速发展。cvd还可用于制造超导材料、光学掩膜、光纤芯材、敏感薄膜、装饰涂层及超微粒子等。